[发明专利]半导体工艺常温铝蚀刻制程

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域。

背景技术

现有技术中通常用于蚀刻铝的方法都是在70度以上的温度下，使用浓磷酸，硝酸和醋酸按一定比例组成的蚀刻液对铝进行刻蚀。该制程对蚀刻的温度有着严格的要求，需要提出一种全新的制程来改善目前的状况。

发明内容

本发明旨在提供其他方法来达到有效刻蚀铝的目的，以达到扩大铝刻蚀时的选择范围，从而使有效刻铝的药品的品种更加多样化，以满足不同情况下的需要。

为了达到上述技术目的，本发明提供了一种半导体工艺常温铝蚀刻制程，包括如下步骤：

a)准备过程：准备反应容器、去离子水、盐酸、硝酸、阴离子表面活性剂；

b)制备过程：依次在所述的反应容器中加入去离子水、盐酸、硝酸以及用于输送刻蚀液中的刻蚀反应物的阴离子表面活性剂；

c)制备过程：均匀搅拌后于室温中静置；

d)蚀刻过程：放入待蚀刻铝样品进行蚀刻反应。

优选地，所述的盐酸浓度为36%-38%。

优选地，所述的硝酸浓度为69%-72%。

优选地，所述的阴离子表面活性剂包括十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的至少一种。

优选地，所述的盐酸与硝酸的比例范围在5：1到10：1之间，所述的去离子水的体积等于所述的盐酸与硝酸体积总和；当溶液体积在1至2升范围内时，添加1.5至2克的阴离子表面活性剂。

进一步的，当所述的盐酸与硝酸的比例为5：1，溶液中添加有1.8g的十二烷基磺酸钠时，效果最佳。

优选地，搅拌均匀后在室温下静置直至与室温平衡。

由于采用上述技术方案，本发明使用盐酸和硝酸作为刻蚀液的主体成分，同时加入阴离子表面活性剂作为刻蚀液中的对刻蚀反应物的输运机构，从而本发明在室温下就有良好的刻蚀效果，工艺窗口大。

附图说明

附图1为根据本发明的半导体工艺常温铝蚀刻制程的流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参见附图1所示，为根据本发明的半导体工艺常温铝蚀刻制程的流程图。

本实施例中的为了达到上述技术目的，本发明提供了一种半导体工艺常温铝蚀刻制程，包括如下步骤：

a)准备过程：准备反应容器、去离子水、盐酸、硝酸、阴离子表面活性剂；

b)制备过程：依次在所述的反应容器中加入去离子水、盐酸、硝酸以及用于输送刻蚀液中的刻蚀反应物的阴离子表面活性剂；

c)制备过程：均匀搅拌后于室温中静置；

d)蚀刻过程：放入待蚀刻铝样品进行蚀刻反应。

其中，盐酸浓度为36%-38%，硝酸浓度为69%-72%，阴离子表面活性剂包括十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的至少一种。盐酸与硝酸的比例范围在5：1到10：1之间；去离子水的所用量在体积上与盐酸和硝酸体积总和一样；当溶液体积在1至2升范围内时，可添加1.5至2克的阴离子表面活性剂。当溶液体积变化时，可根据以上标准按比例添加或减少阴离子表面活性剂的量。经试验，用5：1的盐酸和硝酸（本试验中用500ml盐酸和100ml硝酸）和1.8g十二烷基磺酸钠时效果最好。

配制后需加溶液搅拌均匀，在室温下静置10分钟后待与室温平衡后可以使用，待蚀刻铝样品进行蚀刻反应，反应条件为室温，反应时间依据镀铝的厚度做调整，反应时直接将待处理产品浸没在溶液中即可。对于1000埃厚度的铝膜10分钟即可刻蚀干净，10分钟后再加刻5分钟，过刻程度依然在可以接受的范围内。

由于采用上述技术方案，本发明使用盐酸和硝酸作为刻蚀液的主体成分，同时加入阴离子表面活性剂作为刻蚀液中的对刻蚀反应物的输运机构，从而本发明在室温下就有良好的刻蚀效果，工艺窗口大。

以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。作为本领域的普通技术人员容易看出，本发明中所给出的方法在做出简单的改变后，还同样可适用于刻蚀其他化学性质较活泼的类似金属。