[发明专利]像素结构及薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号： | 201110457668.5 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103185997A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 黄贤军;赵剑 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种像素结构及薄膜晶体管阵列基板，其中像素结构包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一像素电极和第二像素电极；分别位于第一像素电极和第二像素电极上下两侧的栅极线，分别位于所述第一像素电极和第二像素电极的左右两侧的数据线；所述第一像素电极和第二像素电极分别部分重叠所述栅极线。本发明实施例提供的像素结构及薄膜晶体管阵列基板开口率高。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种像素结构，配置于薄膜晶体管阵列基板上，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一像素电极和第二像素电极；分别位于第一像素电极和第二像素电极上下两侧的栅极线，分别位于所述第一像素电极和第二像素电极的左右两侧的数据线；所述第一像素电极和第二像素电极分别部分重叠所述栅极线。
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