[发明专利]像素结构及薄膜晶体管阵列基板

权利要求书

1.一种像素结构，配置于薄膜晶体管阵列基板上，其特征在于，包括：

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一像素电极和第二像素电极；

分别位于第一像素电极和第二像素电极上下两侧的栅极线，分别位于所述第一像素电极和第二像素电极的左右两侧的数据线；

所述第一像素电极和第二像素电极分别部分重叠所述栅极线。

2.如权利要求1所述像素结构，其特征在于，还包括：第一公共电极，所述第一公共电极包括位于所述第一像素电极和第二像素电极之间的第一部分，还包括和栅极线重叠的第二部分，所述第一公共电极和栅极线重叠的第二部分将所述第一像素电极和第二像素电极与所述栅极线隔离。

3.如权利要求2所述像素结构，其特征在于，所述第一公共电极与所述数据线为同一金属层。

4.如权利要求3所述像素结构，其特征在于，还包括：位于第一像素电极、第二像素电极和所述第一公共电极之间的钝化层，且所述第一像素电极、第二像素电极分别与所述钝化层、第一公共电极的第二部分构成第一存储电容和第二存储电容。

5.如权利要求1所述像素结构，其特征在于，第一像素电极和第二像素电极的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟锡与氧化铟锌的组合物。

6.如权利要求2所述像素结构，其特征在于，还包括：第二公共电极，所述第二公共电极包括第一部分、第二部分和第三部分；

所述第二公共电极的第一部分和所述第一公共电极的第一部分有重叠；

所述第二公共电极的第二部分与第一薄膜晶体管的漏极重叠；

所述第二公共电极的第三部分与第二薄膜晶体管的漏极重叠。

7.如权利要求6所述像素结构，其特征在于，所述第二公共电极与栅电极层为同一金属层。

8.如权利要求7所述像素结构，其特征在于，所述第二公共电极的第二部分与第一薄膜晶体管的漏极以及它们之间的绝缘层构成第三电容，所述第二公共电极的第三部分与第二薄膜晶体管的漏极以及它们之间的绝缘层构成第四电容。

9.如权利要求8所述像素结构，其特征在于，所述绝缘层为栅介质层。

10.如权利要求6所述像素结构，其特征在于，所述第二公共电极的第一部分的宽度比所述第一公共电极的第一部分的宽度窄，所述第一像素电极、第二像素电极分别和第一公共电极的第一部分有交叠。

11.如权利要求6所述像素结构，其特征在于，所述第二公共电极的第一部分的宽度比所述第一公共电极的第一部分的宽度宽，所述第一像素电极、第二像素电极分别和第二公共电极的第一部分有交叠。

12.如权利要求6所述像素结构，其特征在于，所述第二公共电极还包括分别靠近数据线并且沿数据线方向延伸的第四部分和第五部分，所述第一像素电极和所述第四部分有交叠，所述第二像素电极和所述第五部分有交叠。

13.一种薄膜晶体管阵列基板，包括多个像素结构，其特征在于，所述像素结构为权利要求1至12任一项所述的像素结构，并且所述像素结构呈阵列排布。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，相邻的所述各像素结构中，所述第一公共电极沿平行于数据线的方向互相连接，所述第二公共电极沿平行于栅极线的方向互相连接。

15.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，不同像素结构中，相邻的第一像素电极和第二像素电极共用同一根数据线。