[发明专利]氧化硅玻璃坩埚及其制造方法有效
申请号: | 201110445456.5 | 申请日: | 2011-12-27 |
公开(公告)号: | CN102557401A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 须藤俊明;佐藤平;池端修一;庄内学;西卓二;佐藤孝也;山崎真介 | 申请(专利权)人: | 日本超精石英株式会社 |
主分类号: | C03B20/00 | 分类号: | C03B20/00 |
代理公司: | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人: | 王昌花 |
地址: | 日本秋田县*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种在制造工序中可以防止拿错坩埚的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其包括:在可制定氧化硅玻璃坩埚外形的模具的内表面堆积氧化硅粉末而形成氧化硅粉层的氧化硅粉层形成工序;在模具内通过电弧加热来熔化氧化硅粉层并形成氧化硅玻璃层,由此形成氧化硅玻璃坩埚,在氧化硅玻璃层和模具之间残留未熔化氧化硅粉层而结束电弧加热的电弧加热工序;从模具取出氧化硅玻璃坩埚的取出工序;以及去除位于氧化硅玻璃坩埚外表面的未熔化的氧化硅粉层的珩磨工序;在取出工序之后且在珩磨工序之前进行的在氧化硅玻璃坩埚外表面标记由1个或多个槽线构成的标识符的标记工序,槽线在珩磨工序后的深度是0.2~0.5mm,槽线在其开口部的宽度是0.8mm以上。 | ||
搜索关键词: | 氧化 玻璃 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于包括:在可制定氧化硅玻璃坩埚外形的模具的内表面堆积氧化硅粉末而形成氧化硅粉层的氧化硅粉层形成工序;在所述模具内通过电弧加热来熔化所述氧化硅粉层并形成氧化硅玻璃层,由此形成氧化硅玻璃坩埚,同时,可在所述氧化硅玻璃层和所述模具之间残留未熔化氧化硅粉层而结束电弧加热的电弧加热工序;从所述模具取出所述氧化硅玻璃坩埚的取出工序;以及去除位于所述氧化硅玻璃坩埚外表面的未熔化的氧化硅粉层的珩磨工序;并且,进一步包括:在所述的取出工序之后且所述的珩磨工序之前进行的在所述氧化硅玻璃坩埚外表面标记由1个或多个槽线构成的标识符的标记工序,其中,所述槽线在所述珩磨工序后的深度是0.2~0.5mm,所述槽线在其开口部的宽度是0.8mm以上。
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