[发明专利]氧化硅玻璃坩埚及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110445456.5 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN102557401A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 须藤俊明;佐藤平;池端修一;庄内学;西卓二;佐藤孝也;山崎真介 申请(专利权)人: 日本超精石英株式会社
主分类号: C03B20/00 分类号: C03B20/00
代理公司: 深圳市维邦知识产权事务所 44269 代理人: 王昌花
地址: 日本秋田县*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氧化 玻璃 坩埚 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于包括:

在可制定氧化硅玻璃坩埚外形的模具的内表面堆积氧化硅粉末而形成氧化硅粉层的氧化硅粉层形成工序;

在所述模具内通过电弧加热来熔化所述氧化硅粉层并形成氧化硅玻璃层,由此形成氧化硅玻璃坩埚,同时,可在所述氧化硅玻璃层和所述模具之间残留未熔化氧化硅粉层而结束电弧加热的电弧加热工序;

从所述模具取出所述氧化硅玻璃坩埚的取出工序;以及

去除位于所述氧化硅玻璃坩埚外表面的未熔化的氧化硅粉层的珩磨工序;

并且,进一步包括:在所述的取出工序之后且所述的珩磨工序之前进行的在所述氧化硅玻璃坩埚外表面标记由1个或多个槽线构成的标识符的标记工序,

其中,所述槽线在所述珩磨工序后的深度是0.2~0.5mm,所述槽线在其开口部的宽度是0.8mm以上。

2.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:所述槽线在其开口部的宽度在2mm以下。

3.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:

所述标记是在将激光的焦点重合到所述氧化硅玻璃坩埚的外表面的状态下进行激光扫描,使得激光的焦点在槽线的长度方向移动而进行的。

4.如权利要求3所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:所述激光是二氧化碳激光。

5.如权利要求3所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:

在标记各槽线时,通过移动所述焦点在槽线宽度方向的位置而在多个槽线宽度方向位置进行所述激光扫描。

6.如权利要求5所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:所述槽线宽度方向位置是3~10处。

7.如权利要求5所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:所述激光扫描在各个槽线宽度方向位置进行3~7次。

8.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:所述槽线的截面形状是倒梯形。

9.如权利要求8所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:所述槽线在该槽线底部的宽度是在该槽线开口部的宽度的30~95%。

10.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于进一步包括:

在所述珩磨工序之后检查所述氧化硅玻璃坩埚的检查工序;

在上述检查中发现异物时,通过磨削异物而除去该异物的磨削工序;以及

电弧加热所述磨削后的氧化硅玻璃坩埚的再次电弧加热工序。

11.如权利要求1至10任意一项所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:进一步包括:所述珩磨工序之后以规定宽度切除所述氧化硅玻璃坩埚的开口端部的缘部切割工序;

其中,将所述标识符标记在从进行所述缘部切割后成为氧化硅玻璃坩埚开口端部的位置沿氧化硅玻璃坩埚底部方向距离30mm以内的位置上。

12.一种氧化硅玻璃坩埚,其特征在于:

在外表面具有1个或多个槽线构成的标识符,所述槽线的深度是0.2~0.5mm,在所述槽线在其开口部的宽度是0.8mm以上。

13.如权利要求12所述的氧化硅玻璃坩埚,其特征在于:在所述槽线在其开口部的宽度是2mm以下。

14.如权利要求12所述的氧化硅玻璃坩埚,其特征在于:所述槽线的截面形状是倒梯形。

15.如权利要求14所述的氧化硅玻璃坩埚,其特征在于:所述槽线在该槽线底部的宽度是其在该槽线开口部的宽度的30~95%。

16.如权利要求12至15中任意一项所述的氧化硅玻璃坩埚,其特征在于:所述标识符设置在距离所述氧化硅玻璃坩埚的开口端部30mm以内的位置上。

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