[发明专利]改善之鳍式场效晶体管有效
| 申请号： | 201110442883.8 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102543753A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 卓荣发;J·G·李;陈忠锋;郭克文 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种改善之鳍式场效晶体管，该鳍式晶体管包括位于基板表面上的介电层，用于隔离该晶体管之栅极与该基板。该介电层包括非选择性蚀刻表面以制造鳍式结构的顶部，从而使该些鳍式结构在整个晶圆上具有降低的高度变化。该鳍式晶体管还可包括至少位于源/漏区下方的反向掺杂区，以降低寄生电容，提升性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 鳍式场效 晶体管 | ||
【主权项】：
一种形成器件的方法，包括：提供基板，其制备有器件区，该器件区包括掺杂隔离阱，以及在该基板上方设置介电层，其中，该介电层包括位于第一介电子层上方的第二介电子层；在该介电层中形成鳍式结构；移除该介电层的其中一部分，其中，移除该介电层之该部分保留该鳍式结构的上半部分延伸超出该第一介电子层的顶部表面；形成跨越该鳍式结构的栅极；以及邻近该栅极在该鳍式结构中形成掺杂源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
