[发明专利]改善之鳍式场效晶体管

权利要求书

1.一种形成器件的方法，包括：

提供基板，其制备有器件区，该器件区包括掺杂隔离阱，以及在该基板上方设置介电层，其中，该介电层包括位于第一介电子层上方的第二介电子层；

在该介电层中形成鳍式结构；

移除该介电层的其中一部分，其中，移除该介电层之该部分保留该鳍式结构的上半部分延伸超出该第一介电子层的顶部表面；

形成跨越该鳍式结构的栅极；以及

邻近该栅极在该鳍式结构中形成掺杂源/漏区。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该介电子层包括可相对彼此选择性移除的材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

该第一介电子层包括氧化硅，而该第二介电子层包括氮化硅，或者

该第一介电子层包括氮化硅，而该第二介电子层包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该第一介电子层的厚度为H₁，该第二介电子层的厚度为H₂，其中，H₂确定该器件区中器件的高度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成该鳍式结构包括：

在该介电层中形成开口，以暴露该基板的其中一部分；

在该基板上方形成半导体层，以填充该开口并覆盖该介电层；以及

移除该介电层上方以及该开口上方的多余半导体层，以在该介电层与该开口中的该半导体层之间形成平坦的顶部表面。

6.如权利要求5所述的方法，其中，该半导体层包括非晶硅层。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括：

对该非晶硅层执行退火，以形成结晶硅层。

8.如权利要求1所述的方法，其中，形成该鳍式结构包括：

在该介电层中形成开口，以暴露该基板的其中一部分；

使用外延层填充该开口的至少其中一部分，其中，该外延层籍由选择性外延生长形成。

9.如权利要求8所述的方法，其中，该鳍式结构包括第一部分以及位于该第一部分上方的第二部分。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该鳍式结构之该第一部分包括第一上半部分及第一下半部分。

11.如权利要求10所述的方法，其中：

该鳍式结构之该第一下半部分包括该外延层，以及

该第一上半部分及第二部分包括外延结晶材料，重结晶的结晶材料或其组合。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括利用第一极型掺杂掺杂该外延层，以形成反向掺杂区。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成反向掺杂区，以及

其中，该反向掺杂区及源/漏区包括第一极型掺杂，该掺杂隔离阱包括第二极型掺杂。

14.如权利要求13所述的方法，其中，该反向掺杂区设于该掺杂隔离阱的上半部分中。

15.如权利要求14所述的方法，其中：

该反向掺杂阱设于该鳍式结构的下方，包括该源/漏区及该源/漏区之间的沟道下方，或者

该反向掺杂阱设于该鳍式结构的下方，包括该源/漏区下方但不包括该源/漏区之间的沟道下方。

16.如权利要求13所述的方法，其中，该鳍式结构包括第一部分以及位于该第一部分上方的第二部分。

17.如权利要求16所述的方法，其中，该鳍式结构之该第一部分作为耗尽区隔离该反向掺杂区与源/漏区。

18.一种形成器件的方法，包括：

提供基板，其制备有器件区，该器件区包括掺杂隔离阱，以及在该基板上方设置介电层，其中，该介电层包括位于第一介电子层上方的第二介电子层；

在该介电层的开口中形成鳍式结构；

相对该第一介电子层移除该第二介电子层，以保留该鳍式结构的其中一部分延伸超出该第一介电子层的顶部表面；

形成跨越该鳍式结构的栅极；以及

邻近该栅极在该鳍式结构中形成掺杂源/漏区。

19.如权利要求18所述的方法，包括：

在该鳍式结构的上半部分上形成介电硬掩模。

20.一种器件，包括：

基板，其顶部表面上制备有介电层，其中，该介电顶部表面包括非选择性蚀刻介电顶部表面；

鳍式结构，设于该介电层中之该基板上，其中，该鳍式结构包括底部及顶部，该顶部延伸超出该非选择性蚀刻介电顶部表面；以及

其中，该顶部确定器件高度以及该非选择性蚀刻顶部表面降低整个晶圆上鳍式结构的高度变化。