[发明专利]超高压LDMOS器件的结构及制备方法无效
| 申请号： | 201110442737.5 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103178092A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 宁开明;董科;马栋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高压LDMOS器件的结构，包括源端、漏端、栅极沟道和高压漂移区，其中，高压漂移区有一深阱，深阱中注入有反型层，在该反型层的上方设计有一个碳注入层。本发明还公开了上述结构的LDMOS器件的制备方法，该方法在做完反型层注入后，使用与反型层相同的光刻掩膜板，在反型层上方再做一次碳注入。本发明通过在LDMOS的上通道区增加一次碳注入，在不影响通道导电性能的同时，有效地抑制了反型层中的杂质在漏端漂移区的扩散，从而增加了上通道的宽度，降低了LDMOS器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 ldmos 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超高压LDMOS器件的结构，包括源端、漏端、栅极沟道和高压漂移区，其中，高压漂移区有一深阱，深阱中注入有反型层，反型层的杂质类型与深阱的杂质类型相反；其特征在于，在所述反型层的上方还有一个碳注入层。
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