[发明专利]超高压LDMOS器件的结构及制备方法无效
| 申请号： | 201110442737.5 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103178092A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 宁开明;董科;马栋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高压 ldmos 器件 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超高压LDMOS器件的结构，包括源端、漏端、栅极沟道和高压漂移区，其中，高压漂移区有一深阱，深阱中注入有反型层，反型层的杂质类型与深阱的杂质类型相反；其特征在于，在所述反型层的上方还有一个碳注入层。
2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的结构，其特征在于，所述碳注入层的形状与所述反型层的形状相同。
3.根据权利要求2所述的LDMOS器件的结构，其特征在于，所述碳注入层的面密度为1E11～1E13/cm2。
4.根据权利要求3所述的LDMOS器件的结构，其特征在于，碳注入的能量为700～1300Kev。
5.权利要求1所述结构的LDMOS器件的制备方法，包括以下步骤：
1)在衬底上形成高压漂移区的深阱和源端的衬底阱；
2)通过光刻和离子注入工艺，在深阱中注入反型层；
3)制作源极、漏极、栅极，完成LDMOS的制备；
其特征在于，步骤2)和3)之间，还包括步骤：
2’)通过光刻和离子注入工艺，在反型层上方形成碳注入层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤2’)使用步骤2)的光刻掩膜板。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤2’)，碳注入的面密度为1E11～1E13/cm2。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤2’)，碳注入的能量为700～1300Kev。
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