[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110439700.7 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103000371A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 金钟翰;郑贤哲;朴宰满 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/005;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种多层陶瓷电子元件及其制造方法，该多层陶瓷电子元件包括：具有介电层的陶瓷主体；以及陶瓷主体内的被布置为彼此相对且介电层介于其间的内电极，其中，当介电层的平均厚度为td且内电极的平均厚度为te时，满足0.1μm≤te≤0.5μm和(td+te)/te≤2.5，并且，当内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且内电极的十点平均粗糙度为Rz时，满足5nm≤Ra≤30nm、150nm≤Rz≤td/2以及8≤Rz/Ra≤20。通过提高介电层和内电极之间的粘附强度和耐压特性，该多层陶瓷电子元件具有良好的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电子元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层陶瓷电子元件，包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一和第二内电极，位于所述陶瓷主体内，被布置为彼此相对且所述介电层介于其间，其中，当所述介电层的平均厚度为td且所述内电极的平均厚度为te时，满足0.1μm≤te≤0.5μm和(td+te)/te≤2.5，并且，当所述内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且所述内电极的十点平均粗糙度为Rz时，满足5nm≤Ra≤30nm、150nm≤Rz≤td/2以及8≤Rz/Ra≤20。
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