[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电子元件，包括：

陶瓷主体，包括介电层；以及

第一和第二内电极，位于所述陶瓷主体内，被布置为彼此相对且所述介电层介于其间，

其中，当所述介电层的平均厚度为td且所述内电极的平均厚度为te时，满足0.1μm≤te≤0.5μm和(td+te)/te≤2.5，并且，当所述内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且所述内电极的十点平均粗糙度为Rz时，满足5nm≤Ra≤30nm、150nm≤Rz≤td/2以及8≤Rz/Ra≤20。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述介电层的平均厚度td满足td≤1.5μm。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述介电层的平均厚度td从在宽度方向上切割所述陶瓷主体的中部而得的所述陶瓷主体在长度方向和厚度方向上的剖面来获得。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述内电极的平均厚度从在宽度方向上切割所述陶瓷主体的中部而得的所述陶瓷主体在长度方向和厚度方向上的剖面来获得。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述内电极由包括第一颗粒和粒径小于所述第一颗粒的第二颗粒的金属粉末形成。

6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述第一颗粒的粒径是所述第二颗粒的粒径的1.5倍到2.5倍。

7.根据权利要求5所述的多层陶瓷电子元件，其中，基于100重量份的所述金属粉末，所述第一颗粒的含量为9到20重量份。

8.一种多层陶瓷电子元件，包括：

包括介电层的陶瓷主体，以及第一和第二内电极，所述第一和第二内电极被布置为彼此相对且所述介电层介于其间，

其中，当所述介电层的平均厚度为td且所述内电极的平均厚度为te时，满足td≤1.5μm和0.1μm≤te≤0.5μm，并且，当所述内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且所述内电极的十点平均表面粗糙度为Rz时，满足8≤Rz/Ra≤20。

9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述介电层的平均厚度td和所述内电极的平均厚度te满足(td+te)/te≤2.5。

10.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述平均表面粗糙度Rz满足150nm≤Rz≤td/2。

11.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述介电层的平均厚度从在宽度方向上切割所述陶瓷主体的中部而得的所述陶瓷主体在长度方向和厚度方向上的剖面来获得。

12.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述内电极的平均厚度从在宽度方向上切割所述陶瓷主体的中部而得的所述陶瓷主体在长度方向和厚度方向上的剖面的中部中布置的内电极的平均厚度来获得。

13.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述内电极由包括第一颗粒和粒径小于所述第一颗粒的第二颗粒的金属粉末形成。

14.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述第一颗粒的粒径是所述第二颗粒的粒径的1.5倍到2.5倍。

15.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子元件，其中，基于100重量份的所述金属粉末，所述第一颗粒的含量为9到20重量份。

16.一种多层陶瓷电子元件的制造方法，所述方法包括：

形成由包括电介质的陶瓷生片制成的介电层；

通过使用包括具有第一颗粒和粒径小于第一颗粒的第二颗粒的金属粉末的金属膏，在所述陶瓷生片上形成内电极图案，其中，基于100重量份的所述金属粉末，所述第一颗粒的含量是9到20重量份；以及

层叠其上形成有所述内电极图案的所述生片并进行烧结，以形成陶瓷主体，其中，所述内电极的平均厚度te满足0.1μm≤te≤0.5μm，所述内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度Ra满足5nm≤Ra≤30nm，且所述内电极的十点平均表面粗糙度Rz与平均表面粗糙度Ra的比Rz/Ra满足8≤Rz/Ra≤20。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一颗粒的粒径是所述第二颗粒的粒径的1.5倍到2.5倍。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述介电层的平均厚度td满足td≤1.5μm和(td+te)/te≤2.5。