[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求于2011年9月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2011-0091229号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种介电层和内电极之间具有极好粘附强度的多层陶瓷电子元件。

背景技术

顺应近来电子产品小型化的趋势，对小尺寸大电容多层陶瓷电子元件的需求也在增加。

因此，通过各种方式，介电层和内电极层已被薄化且增加为多层。近来，随着介电层变薄，已经生产出具有更多叠层数量的多层陶瓷电子元件。

而且，为了获得更薄的内电极，近来已经生产了包括微细金属粉末制成的内电极的陶瓷电子元件。

然而，在这种情况下，内电极表面粗糙度可能被逐渐减小，介电层和内电极之间的粘附可能被劣化。

这可能会导致在多层陶瓷电子元件的生产过程中介电层和内电极发生层离，使得可靠性降低。

发明内容

本发明的一个方面提供了一种介电层和内电极之间具有极好粘附强度的多层陶瓷电子元件。

根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷电子元件，包括：具有介电层的陶瓷主体；以及陶瓷主体内的被布置为彼此相对且介电层介于其间的第一和第二内电极，其中，当介电层的平均厚度为td且内电极的平均厚度为te时，满足0.1μm≤te≤0.5μm和(td+te)/te≤2.5，当内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且内电极的十点平均粗糙度为Rz时，满足5nm≤Ra≤30nm、150nm≤Rz≤td/2以及8≤Rz/Ra≤20。

介电层的平均厚度td可满足td≤1.5μm。

介电层的平均厚度td可从在宽度方向上切割陶瓷主体的中部而得的陶瓷主体在长度方向和厚度方向上的剖面来获得。

内电极的平均厚度可从在宽度方向上切割陶瓷主体的中部而得的陶瓷主体在长度方向和厚度方向上的剖面来获得。

内电极可由包括第一颗粒和粒径小于第一颗粒的第二颗粒的金属粉末形成。

第一颗粒的粒径可以是第二颗粒的粒径的1.5倍到2.5倍。

基于100重量份的金属粉末，第一颗粒的含量可以是9到20重量份。

根据本发明的另一方面，提供一种多层陶瓷电子元件，包括：具有介电层的陶瓷主体，以及被布置为彼此相对且介电层介于其间的第一和第二内电极，其中，当介电层的平均厚度为td且内电极的平均厚度为te时，满足td≤1.5μm和0.1μm≤te≤0.5μm，当内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且内电极的十点平均表面粗糙度为Rz时，满足8≤Rz/Ra≤20。

介电层的平均厚度td和内电极的平均厚度te可满足(td+te)/te≤2.5。

平均表面粗糙度Rz可满足150nm≤Rz≤td/2。

介电层的平均厚度可从在宽度方向上切割陶瓷主体的中部而得的陶瓷主体在长度方向和厚度方向上的剖面来获得。

内电极的平均厚度可从在宽度方向上切割陶瓷主体的中部而得的陶瓷主体在长度方向和厚度方向上的剖面的中部中布置的内电极的平均厚度来获得。

内电极可由包括第一颗粒和粒径小于第一颗粒的第二颗粒的金属粉末形成。

第一颗粒的粒径可以是第二颗粒的粒径的1.5倍到2.5倍。

基于100重量份的金属粉末，第一颗粒的含量可以是9到20重量份。

根据本发明的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子元件的制造方法，包括：形成由包括电介质的陶瓷生片(ceramic green sheet)制成的介电层；通过使用金属膏在陶瓷生片上形成内电极图案，该金属膏包括具有第一颗粒和粒径小于第一颗粒的第二颗粒的金属粉末，其中，基于100重量份的金属粉末，第一颗粒的含量为9到20重量份；以及层叠其上形成有内电极图案的生片并对其进行烧结，以形成陶瓷主体，其中，内电极的平均厚度te满足0.1μm≤te≤0.5μm，内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度Ra满足5nm≤Ra≤30nm，且内电极的十点平均表面粗糙度Rz与平均表面粗糙度Ra的比Rz/Ra满足8≤Rz/Ra≤20。

第一颗粒的粒径可以是第二颗粒的粒径的1.5倍到2.5倍。

介电层的平均厚度td可以满足td≤1.5μm和(td+te)/te≤2.5。

附图说明

通过下文的详细说明并结合附图会更清楚地理解本发明的以上和其他方面、特征以及其他优势，其中：