[发明专利]一种选择性扩散方阻测试的方法无效
| 申请号： | 201110428467.2 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102539919A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 彭江;黄书斌;胡党平;倪正中;赵文祥;王志刚;魏青竹;孙利国 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215542 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶体硅选择性扩散方块电阻测试的方法，其包括以下步骤：首先，选择晶体硅片，进行重掺杂，令其方块电阻为40-55Ω/□。之后，对扩散面栅线处进行喷涂蜡或其他有机物质。接着，放入回刻设备中进行刻蚀，制得选择性发射极晶体硅片。然后，取出制备好的选择性发射极晶体硅片，放入四探针测试设备中，对其不同位置进行与探针移动步径对应的逐步方块电阻进行测试，获取数据组。之后，对数据组用Minitab软件进行分析，得到曲线图。这样，不需要用到方块电阻的监控硅片，同时可以监测重扩散区域大小和方块电阻值，这就有利于企业成本的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 扩散 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性扩散方阻测试的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，选择晶体硅片，进行重掺杂，令其方块电阻为40‑55Ω/□；步骤②，对扩散面栅线处进行喷涂腊；步骤③，放入回刻设备中进行无机酸/碱性刻蚀，形成选择性发射极面，制得选择性发射极晶体硅片；步骤④，取出步骤③制备好的选择性发射极晶体硅片，放入四探针测试设备中；步骤⑤，选择探针移动步径，对选择性发射极晶体硅片进行与探针移动步径对应的逐步方块电阻测试，获取数据组；步骤⑥，对数据组用Minitab软件进行分析，得到曲线图，包含方块电阻大小数据、均匀性数据、重扩散区域方块电阻的大小数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中利腾晖光伏科技有限公司，未经中利腾晖光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110428467.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
