[发明专利]一种选择性扩散方阻测试的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种测试方法，尤其涉及一种选择性扩散方阻测试的方法。

背景技术

当前制备高效率晶体硅太阳能电池片，主要是利用扩散的选择性发射极来得到。其在栅线下面形成重扩散区，以降低电极与晶硅的接触电阻；在受光部分(活性区)形成轻扩散区，使得电池的短波段光谱响应卓越。

一般来说，晶体硅发射极的方块电阻值是利用四探针量测(图1)，由于选择性发射极活性区的方块电阻太大(≥75Ω/□)，制取工艺受到挑战，这就需要在扩散后，对其活性区方块电阻值进行实时监控并及时排除扩散不良片；另一方面，轻扩散发射极是在重扩后/同时(一次扩散：通过印刷含P的硅浆料)得到，由于重扩散区方块电阻的测试干扰，会使得测试不准确。

目前来说，轻扩散区方块电阻的监控通过如下方法：

两次/一次扩散工艺：选择同批次制绒后的晶硅片，但未经过重扩散(监控片)与准备进行轻扩散，已/同时经过重扩散的硅片放入同一炉管中，这时，只需对监控片进行5点量测，就可得到方块电阻值和均匀性。

回刻(Etch Back)工艺：将重扩散后但不喷涂腊的硅晶片，随正常回刻工艺同时进行，工艺完成后，对其进行5点量测就可以得到方块电阻值和其均匀性或者是通过分光法通过量测刻蚀的深度来进行工艺监控。

上述的方法，是根据不同制备选择性发射极的方法而来，归根结底，这些方法需要较多的监控片，而监控片大部分会作为返工片处理；同时，前期重扩散方阻应保持与烧结匹配(不匹配可能会导致电池片过烧或欠烧)，而当前方法没有将重扩散区的方块电阻进行工艺监控，从而影响电池片的效率和良率，从而不利于企业的成本控制。

发明内容

本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种选择性扩散方阻测试的方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：

一种选择性扩散方阻测试的方法，其包括以下步骤：步骤①，选择晶体硅片，进行重掺杂，令其方块电阻为40-55Ω/□；步骤②，对扩散面栅线处进行喷涂腊或其他有机物质；步骤③，放入回刻设备中进行无机酸/碱性刻蚀，形成选择性发射极面，制得选择性发射极晶体硅片；步骤④，取出步骤③制备好的选择性发射极晶体硅片，放入四探针测试设备中；步骤⑤，选择探针移动步径，对选择性发射极晶体硅片进行与探针移动步径对应的逐步方块电阻进行测试，获取数据组；步骤⑥，对数据组用软件进行分析，得到曲线图，包含方块电阻大小数据、均匀性数据、重扩散区域方块电阻的大小数据。

上述的一种选择性扩散方阻测试的方法，其中：所述的形成选择性发射极面，制得选择性发射极晶体硅片过程中，令轻扩散区方块电阻值≥75Ω/□。

进一步地，上述的一种选择性扩散方阻测试的方法，其中：所述的选择性发射极晶体硅片放入四探针测试设备中时，保证四根探针位于同一直线上并与副栅线重扩散区平行。

更进一步地，上述的一种选择性扩散方阻测试的方法，其中：所述探针移动步径为0.01mm-0.5mm。

本发明技术方案的优点主要体现在：不需要用到方块电阻的监控片，这就有利于企业成本的下降。同时，无需对正常片和监控片进行区分，这会给产线的作业员带来方便。再者，通过5块区域测量，避免之前5点测试的不准确性。由此，为本领域的技术进步拓展了空间，实施效果好。

附图说明

本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。这些附图当中，

图1是四探针测试设备检测实施示意图；

图2是方块电阻随探针移动距离而变化的曲线图。

具体实施方式

如图1、图2所示一种选择性扩散方阻测试的方法，其与众不同之处在于包括以下步骤：首先选用选择多晶硅片(P型，156*156)，进行重掺杂，令其方块电阻为40-55Ω/□。具体来说，考虑到现有的多晶硅片类型，选取P型，156*156的多晶硅片较为常见。

之后，对扩散面栅线处进行喷涂腊。具体来说，为了而便于后续的测试精确度得到满足，整个涂腊过程为对3根主栅，68根副栅，进行完全涂腊，且令副栅线中心之间的距离为2.28mm。

接着，放入回刻设备中进行硝酸、氢氟酸的水溶液刻蚀，形成选择性发射极面，制得选择性发射极晶体硅片，确保轻扩散区方块电阻值≥75Ω/□。