[发明专利]一种选择性扩散方阻测试的方法

权利要求书

1.一种选择性扩散方阻测试的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤①，选择晶体硅片，进行重掺杂，令其方块电阻为40-55Ω/□；

步骤②，对扩散面栅线处进行喷涂腊；

步骤③，放入回刻设备中进行无机酸/碱性刻蚀，形成选择性发射极面，制得选择性发射极晶体硅片；

步骤④，取出步骤③制备好的选择性发射极晶体硅片，放入四探针测试设备中；

步骤⑤，选择探针移动步径，对选择性发射极晶体硅片进行与探针移动步径对应的逐步方块电阻测试，获取数据组；

步骤⑥，对数据组用Minitab软件进行分析，得到曲线图，包含方块电阻大小数据、均匀性数据、重扩散区域方块电阻的大小数据。

2.根据权利要求1所述的一种选择性扩散方阻测试的方法，其特征在于：所述的形成选择性发射极面过程中，令轻扩散区方块电阻值≥75Ω/□。

3.根据权利要求1所述的一种选择性扩散方阻测试的方法，其特征在于：所述的选择性发射极晶体硅片放入四探针测试设备中时，保证四根探针位于同一直线上并与副栅线重扩散区平行。

4.根据权利要求1所述的一种选择性扩散方阻测试的方法，其特征在于：所述探针移动步径0.01mm-0.5mm。