[发明专利]一种检测晶片是否异常的方法有效
| 申请号： | 201110422284.X | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103165490A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘改花;林华堂;华强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种检测晶片是否异常的方法，该方法包括：在待检测的各晶片上分别设定一个相互对应的标志位置，对应标志位置处的数据为晶片上所测数据的理论最大值；在待检测的各晶片上除了标志位置外再各设定多个一一相互对应的位置；采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的数据并记录；对各晶片上所采集的数据求平均，得出各晶片所对应的均值；求每一晶片上标志位置处的数据与该晶片所对应的均值的差值；判断各晶片所对应的差值是否超出预设范围，如果否，则该晶片正常，如果是，则该晶片异常。通过本发明所提供的方法，可有效地检测出异常晶片，从而可避免更大的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 晶片 是否 异常 方法 | ||
【主权项】：
一种检测晶片是否异常的方法，其特征在于，包括：在待检测的各晶片上分别设定一个相互对应的标志位置，对应标志位置处的数据为晶片上所测数据的理论最大值；在待检测的各晶片上除了标志位置外再各设定多个一一相互对应的位置；采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的数据并记录；对各晶片上所采集的数据求平均，得出各晶片所对应的均值；求每一晶片上标志位置处的数据与该晶片所对应的均值的差值；判断各晶片所对应的差值是否超出预设范围，如果否，则该晶片正常，如果是，则该晶片异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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