[发明专利]一种检测晶片是否异常的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种检测晶片是否异常的方法。

背景技术

半导体器件制作过程中，常会涉及到镀膜、刻蚀等工艺步骤。在每一步的工艺步骤完成后，紧接着都有一个检测过程，用来检测各工艺步骤完成后的晶片是否满足要求，对于满足要求的晶片可以进行下一工艺步骤，对于不满足工艺要求的晶片可能要进行相应的处理然后重新开始此工艺步骤或者报废晶片等。

现有技术中在每一步的工艺步骤完成后，常通过统计过程控制(Statistical Process Control，SPC)方法对晶片生产过程进行监控。在检测过程中首先需要采集各晶片上设定位置处的数据，之后对所采集的数据进行处理，通过处理后的数据来判定某一工艺步骤后的各晶片是否均满足要求。

对所采集的数据进行处理时应用最多的要数均值法和极差法了。但是，当所检测晶片中出现异常晶片时，采用均值法和极差法有时会检测不出来，下面以具体图示加以说明。

参看图1，图1为在6个晶片中的每个晶片上均采集5个相应位置处的数据的分布图。图中横坐标代表6个晶片，纵坐标代表每一晶片上5个相应位置处的数据。由图可看出，前5个晶片均是“*”所代表的位置(site5)处的数据最大，而第6个晶片则出现了异常。

参看图2和图3，图2和图3分别为图1中所示数据的均值和极差分布图。图2中的横坐标代表上述6个晶片，纵坐标表示每一晶片上5个相应位置处的数据的均值；图3中的横坐标代表上述6个晶片，纵坐标表示每一晶片上5个相应位置处的数据的极差(即5个数据中的最大值减去最小值)。由图2和图3可知，对图1中的原始数据采用均值法或极差法处理后，第6个晶片上数据的异常情况将检测不出来，这将会使异常晶片进入下一工艺步骤，进而造成更大的损失。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种检测晶片是否异常的方法，通过该方法能够有效地检测出某一工艺步骤后的异常晶片，从而避免更大的损失。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种检测晶片是否异常的方法，该方法包括：

在待检测的各晶片上分别设定一个相互对应的标志位置，对应标志位置处的数据为晶片上所测数据的理论最大值；

在待检测的各晶片上除了标志位置外再各设定多个一一相互对应的位置；

采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的数据并记录；

对各晶片上所采集的数据求平均，得出各晶片所对应的均值；

求每一晶片上标志位置处的数据与该晶片所对应的均值的差值；

判断各晶片所对应的差值是否超出预设范围，如果否，则该晶片正常，如果是，则该晶片异常。

优选的，上述方法中，采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的数据具体包括：

采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的厚度、尺寸或离子浓度。

优选的，上述方法中，在待检测的各晶片上除了标志位置外再各设定4个一一相互对应的位置。

从上述技术方案可以看出，本发明所提供的检测晶片是否异常的方法，首先在待检测的各晶片上分别设定一个相互对应的标志位置，对应标志位置处的数据为晶片上所测数据的理论最大值；然后在待检测的各晶片上除了标志位置外再各设定多个一一相互对应的位置；之后采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的数据并记录；再之后对各晶片上所采集的数据求平均，得出各晶片所对应的均值；最后求每一晶片上标志位置处的数据与该晶片所对应的均值的差值，如果该差值超出预设范围，则该晶片异常，否则该晶片正常。由于该方法在判断某晶片是否异常时所用的差值不仅由该晶片所对应的均值来决定，而且由该晶片上标志位置处所采集的数据决定，而该晶片上标志位置处所采集的数据在理论上又应该为最大值，因此，在该晶片上标志位置处的数据不再是最大值时，从该晶片所对应的差值将能反映出来，从而可检测出该晶片为异常晶片。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为在6个晶片中的每个晶片上均采集5个相应位置处的数据的分布图；

图2为图1中所示数据的均值分布图；

图3为图1中所示数据的极差分布图；