[发明专利]一种检测晶片是否异常的方法有效

专利信息
申请号: 201110422284.X 申请日: 2011-12-15
公开(公告)号: CN103165490A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 刘改花;林华堂;华强 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮;李辰
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 检测 晶片 是否 异常 方法
【权利要求书】:

1.一种检测晶片是否异常的方法,其特征在于,包括:

在待检测的各晶片上分别设定一个相互对应的标志位置,对应标志位置处的数据为晶片上所测数据的理论最大值;

在待检测的各晶片上除了标志位置外再各设定多个一一相互对应的位置;

采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的数据并记录;

对各晶片上所采集的数据求平均,得出各晶片所对应的均值;

求每一晶片上标志位置处的数据与该晶片所对应的均值的差值;

判断各晶片所对应的差值是否超出预设范围,如果否,则该晶片正常,如果是,则该晶片异常。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的数据,包括:

采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的厚度、尺寸或离子浓度。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在待检测的各晶片上除了标志位置外再各设定4个一一相互对应的位置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司,未经无锡华润上华科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110422284.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top