[发明专利]高功率密度芯片的金属热接合有效
| 申请号： | 201110421727.3 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102543763A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | S·安基莱蒂;V·盖克廷;J·A·琼斯;M·B·斯特恩 | 申请（专利权）人： | 甲骨文美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了高功率密度芯片的金属热接合，给出了一种装配半导体封装的方法，包括通过反向溅射来清洁芯片的表面和排热器件的表面。该方法包括在目标接合区域上，顺序地涂敷芯片的表面和排热器件的表面以粘合剂层、阻挡层和保护层。芯片和排热器件被放入夹具内并预加热到目标温度。然后，金属热界面材料预制件被机械地碾压到芯片的表面上，并且第一和第二承载夹具被附接到一起，使得通过无焊剂工艺把芯片表面上的金属热界面材料层与排热器件的被涂敷表面接合。该方法包括在回流炉中加热被接合的承载夹具。 | ||
| 搜索关键词： | 功率密度 芯片 金属 接合 | ||
【主权项】：
一种半导体封装装配方法，包括：通过反向溅射来清洁芯片的表面和排热器件的表面；在目标接合区域上，顺序地涂敷芯片的表面和排热器件的表面以粘合剂层、阻挡层和保护层；把芯片和排热器件分别放入第一和第二承载夹具内；把第一和第二承载夹具预加热到目标温度；预加热之后，把金属热界面材料预制件放到芯片的表面上；在芯片的表面上机械地碾压所述金属热界面材料；附接所述第一和第二承载夹具，使得芯片表面上的金属热界面材料层与排热器件的被涂敷表面接合；以及在回流炉中加热被接合的承载夹具。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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