[发明专利]一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法有效
| 申请号： | 201110402830.3 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103151312A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 董金珠;胡君;罗啸;刘冬华;段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法，包括如下步骤：步骤1，在晶体管的侧墙形成后，在硅片上整体淀积一层抗反射层；该晶体管的多晶硅栅上依次有硅化钨与氮化硅层；步骤2，用化学机械研磨的方法把抗反射层磨平，使得多晶硅上面的氮化硅层暴露出来；步骤3，回刻抗反射层到所需要的厚度，使得源漏注入到多晶硅里面的同时，又能达到合适的源漏结深；步骤4，选择性地进行多晶硅杂质注入，保证杂质离子注入到多晶硅里面，并且尽量少的注入到源漏区域；步骤5，去除抗反射层；步骤6，选择性的进行源漏离子注入。该方法可以使源漏杂质离子注入到多晶硅里面去，又避免源漏注入结深太深。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 注入 进行 多晶 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在晶体管的侧墙形成后，在硅片上整体淀积一层抗反射层；该晶体管的多晶硅栅上依次有硅化钨与氮化硅层；步骤2，用化学机械研磨的方法把抗反射层磨平，使得多晶硅上面的氮化硅层暴露出来；步骤3，回刻抗反射层到所需要的厚度，使得源漏注入注入到多晶硅里面的同时，又能达到合适的源漏结深；步骤4，选择性地进行多晶硅杂质注入，保证杂质离子注入到多晶硅里面，并且尽量少的注入到源漏区域；步骤5，去除抗反射层；步骤6，选择性的进行源漏离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
