[发明专利]一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法

权利要求书

1.一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在晶体管的侧墙形成后，在硅片上整体淀积一层抗反射层；该晶体管的多晶硅栅上依次有硅化钨与氮化硅层；

步骤2，用化学机械研磨的方法把抗反射层磨平，使得多晶硅上面的氮化硅层暴露出来；

步骤3，回刻抗反射层到所需要的厚度，使得源漏注入注入到多晶硅里面的同时，又能达到合适的源漏结深；

步骤4，选择性地进行多晶硅杂质注入，保证杂质离子注入到多晶硅里面，并且尽量少的注入到源漏区域；

步骤5，去除抗反射层；

步骤6，选择性的进行源漏离子注入。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述抗反射层的材料为氮氧化硅，所述抗反射层的厚度为5000埃-2微米。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述晶体管的侧墙形成包括如下步骤：先制作具有P型硅衬底、N型阱和浅沟槽隔离的硅基片，再依次淀积栅氧化层、多晶硅层、硅化钨，氮化硅层，然后刻蚀形成多晶硅栅极，再淀积一层氧化硅层并刻蚀形成侧墙，再淀积一层氮化硅层并刻蚀形成侧墙，即形成晶体管的氧化物及氮化物侧墙。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中，所述回刻抗反射层采用HF湿法刻蚀工艺。

5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，步骤3中，所述回刻抗反射层到所需要的厚度，该厚度为500-3000埃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中，所述选择性地进行多晶硅杂质注入具体为：对NMOS的多晶硅进行磷或砷注入，注入能量范围为3-30Kev，注入剂量范围为1e¹⁴-1e¹⁶/cm²；或者，对PMOS的多晶硅进行硼或氟化硼注入，注入能量为3-20Kev，注入剂量范围为1e¹⁴-1e¹⁶/cm²。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中，所述去除抗反射层采用湿法刻蚀工艺。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6中，所述选择性的进行源漏离子注入具体为：对NMOS的源漏进行磷或砷注入，注入能量范围为3-50Kev，注入剂量范围为1e¹⁴-1e¹⁶/cm²；或者，对PMOS的源漏进行硼或氟化硼注入，注入能量为3-30Kev，注入剂量范围为1e¹⁴-1e¹⁶/cm²。