[发明专利]具有所限定栅极间隔的集成电路器件以及设计和制造其的方法有效
| 申请号： | 201110399251.8 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102915919A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;朱鸣;陈柏年;杨宝如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开一种设备以及制造和/或设计这种设备的方法，包括：第一栅极结构，具有宽度(W)和长度(L)；以及第二栅极结构，与第一栅极结构分离大于： |
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| 搜索关键词： | 有所 限定 栅极 间隔 集成电路 器件 以及 设计 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路的方法，包括：形成具有宽度(W)和长度(L)的第一栅极结构；形成与所述第一栅极结构的第一侧分离一距离的第二栅极结构，其中，分离的距离大于： W * W + L * L 10 并且其中，所述第二栅极结构是所述第一栅极结构的所述第一侧的下一个邻近栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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