[发明专利]具有所限定栅极间隔的集成电路器件以及设计和制造其的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，包括：

形成具有宽度(W)和长度(L)的第一栅极结构；

形成与所述第一栅极结构的第一侧分离一距离的第二栅极结构，其中，分离的距离大于：

W*W+L*L10]]>

并且其中，所述第二栅极结构是所述第一栅极结构的所述第一侧的下一个邻近栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分离的距离小于约500nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分离的距离通过与所述IC制造相关的设计规则确定。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一栅极结构具有大于约3μm²的面积。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成第三栅极结构，其中，所述第三栅极结构具有小于约3μm²的面积，并且其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构具有大于约3μm²的面积。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构包括多晶硅。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构是牺牲栅极结构。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间形成电介质层；

去除所述第一栅极结构和所述第二栅极结构，以在所述电介质层中形成第一开口和第二开口；以及

在所述第一开口和所述第二开口的每个中形成金属栅极结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述金属栅极包括：

在所述第一开口和所述第二开口中形成高-k电介质层；

在所述第一开口和所述第二开口中形成金属层；以及

执行所述金属层的化学机械抛光(CMP)处理。

10.一种包括通过计算机程序编码的计算可读介质的装置，当执行时：

接收包括具有宽度(W)和长度(L)的第一栅极结构和第二栅极结构的第一图案；

在所述第一图案上执行设计规则检验，其中，所述设计规则检验使用用于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的间隔需求，其中，所述间隔需求要求大于的分离距离，以及；

修改所述第一图案以提供所述间隔需求。