[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110397325.4 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137598A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底上的刻蚀阻挡层、第一介质层、中间停止层和第二介质层，所述中间停止层具有致密的结构，且所述中间停止层的介电常数位于2.3～2.5；被所述刻蚀阻挡层、第一介质层和中间停止层所包围的接触插塞；被所述第二介质层所包围的金属线。所述制造方法可以先形成沟槽再形成通孔，也可以先形成通孔再形成沟槽，还可以采用自对准工艺依次形成沟槽和通孔。本发明既可以保证半导体器件的电阻分布很均匀，又可以减小延迟时间，最终提高了半导体器件的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底上的刻蚀阻挡层、第一介质层、中间停止层和第二介质层，所述中间停止层具有致密的结构，且所述中间停止层的介电常数位于2.3～2.5；被所述刻蚀阻挡层、第一介质层和中间停止层所包围的接触插塞；被所述第二介质层所包围的金属线。
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