[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

依次位于所述半导体衬底上的刻蚀阻挡层、第一介质层、中间停止层和第二介质层，所述中间停止层具有致密的结构，且所述中间停止层的介电常数位于2.3～2.5；

被所述刻蚀阻挡层、第一介质层和中间停止层所包围的接触插塞；

被所述第二介质层所包围的金属线。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述中间停止层的厚度范围包括：

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述中间停止层的材料包括：氮化硼。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质层或所述第二介质层的材料为低K介质层或超低K介质层。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、第一介质层、中间停止层和第二介质层，所述中间停止层具有致密的结构，且所述中间停止层的介电常数位于2.3～2.5；

刻蚀所述第二介质层、中间停止层、第一介质层和刻蚀阻挡层至露出半导体衬底，形成双大马士革结构，所述双大马士革结构包括沟槽和通孔，所述沟槽位于所述第二介质层中，所述通孔位于所述中间停止层、第一介质层和刻蚀阻挡层中；

在所述双大马士革结构中填充金属层，所述金属层的上表面与所述第二介质层的上表面齐平。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成双大马士革结构包括：先形成通孔，再形成沟槽。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成双大马士革结构包括：先形成沟槽，再形成通孔。

8.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述中间停止层的厚度范围包括：

9.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述中间停止层的材料包括：氮化硼。

10.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一介质层或所述第二介质层的材料为低K介质层或超低K介质层。

11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成刻蚀阻挡层、第一介质层和中间停止层，所述中间停止层具有致密的结构，且所述中间停止层的介电常数位于2.3～2.5；

刻蚀所述中间停止层至露出第一介质层，形成与通孔相对应的开口；

在所述中间停止层和第一介质层上形成第二介质层和硬掩模层；

刻蚀所述硬掩模层至露出第二介质层，形成与沟槽相对应的开口；

以所述硬掩模层为掩模，刻蚀所述第二介质层至露出中间停止层，形成沟槽；

以所述硬掩模层为掩模，刻蚀剩余的第二介质层、所述第一介质层和刻蚀阻挡层至露出半导体衬底，形成通孔；

在所述沟槽和所述通孔中填充金属层，进行平坦化处理，去除所述硬掩模层，所述金属层的上表面与所述第二介质层的上表面齐平。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述中间停止层的厚度范围包括：

13.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述中间停止层的材料包括：氮化硼。

14.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一介质层或所述第二介质层的材料为低K介质层或超低K介质层。