[发明专利]一种电化学淀积结果确定方法有效
| 申请号： | 201110391416.7 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102427046A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王强;陈岚;李志刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电化学淀积结果确定方法，将设计有沟槽的晶圆介质表面进行版图网格划分，根据测量获得所述网格内所有图形的特征参数，确定所述网格版图特征，根据当前计算网格及周围网格的版图特征，对网格版图电化学淀积最终形貌所属填充类型进行判定，根据电化学淀积金属工艺参数和所述网格版图所属类型，确定与版图特征相关的修正因子，计算网格内金属淀积量V、非沟槽区域介质表面金属厚度H和图形中沟槽区域沟槽与非沟槽区域金属表面高度差S，确定网格内金属的电化学淀积结果。本发明的方法通过引入与版图特征相关的修正因子，能够比较准确地预测电化学淀积后晶圆表面的淀积结果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电化学 结果 确定 方法 | ||
【主权项】：
一种电化学淀积结果确定方法，其特征在于，包括步骤：将设计有沟槽的晶圆介质表面进行版图网格划分；测量所述网格内图形的特征参数；根据所述的图形的特征参数确定所述网格的版图特征；根据当前计算网格及周围网格的版图特征，对网格版图电化学淀积最终形貌所属填充类型进行判定；根据电化学淀积金属工艺参数和所述网格版图所属填充类型，确定与版图特征相关的修正因子，确定网格内金属的淀积结果。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110391416.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
