[发明专利]功率晶体管组件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种功率晶体管组件包括一衬底、一外延层、一掺质来源层、一漏极掺杂区、一第一绝缘层、一栅极结构、一第二绝缘层、一源极掺杂区以及一金属层。衬底、漏极掺杂区与源极掺杂区具有一第一导电类型，且外延层具有一第二导电类型。外延层设于衬底上，且具有至少一穿孔贯穿外延层。掺质来源层、第一绝缘层、栅极结构与第二绝缘层依序设于穿孔中的衬底上。漏极掺杂区与源极掺杂区设于穿孔一侧的外延层中。金属层设于外延层上，且延伸至穿孔中，以与源极掺杂区相接触。借此，可有效地减少使用掩模的数量，并降低功率晶体管组件的制作成本与制作复杂度。

主权项

一种功率晶体管组件，其特征在于，包括：一衬底，具有一第一导电类型；一外延层，设于所述衬底上，且具有至少一穿孔，贯穿所述外延层，其中所述外延层具有一第二导电类型；一基体掺杂区，设于所述外延层中，且具有所述第二导电类型；一掺质来源层，设于所述穿孔中；一漏极掺杂区，设于所述掺质来源层一侧的所述外延层中，并与所述基体掺杂区以及所述衬底相接触，且具有所述第一导电类型；一第一绝缘层，设于所述穿孔中的所述掺质来源层上；一栅极结构，设于所述穿孔中的所述第一绝缘层上；一第二绝缘层，设于所述穿孔中的所述栅极结构上；一源极掺杂区，设于所述漏极掺杂区上的所述基体掺杂区中，且具有所述第一导电类型，其中所述栅极结构位于所述源极掺杂区与所述漏极掺杂区之间，并与所述基体掺杂区相接触；以及一金属层，设于所述外延层上，且延伸至所述穿孔中，以与所述源极掺杂区相接触。