[发明专利]补偿操作电压的方法、快闪存储器件、以及数据存储设备

摘要

公开一种在非易失性存储器件中生成经补偿的操作电压的方法，以及相关的非易失性存储器件，所述操作电压如读取电压。响应于一个或多个存储单元条件来补偿操作电压，所述存储单元条件如温度变化、所选择的存储单元的编程数据状态或物理位置、所选择的存储单元的页信息、或所选择的字线的位置。

主权项

一种在包括非易失性存储器件的存储系统中生成操作电压的方法，该非易失性存储器件包括操作电压生成器以及非易失性存储单元的存储单元阵列，该方法包括：在所述存储单元阵列的修整信息区域中存储修整信息，其中，所述修整信息包括电压修整信息；当对所述非易失性存储器件加电并且使用所述修整电压信息时，配置存储多个补偿偏移值的至少一个查找表；使用包括在操作电压生成器中的温度代码生成器检测所述非易失性存储器件的当前温度；在接收到启动由所述非易失性存储器件进行的访问操作的执行的访问命令之后，通过响应于所述当前温度从存储在所述至少一个查找表中的多个补偿偏移值中选择偏移值来生成经补偿的操作电压；以及使用所述经补偿的操作电压执行所述访问操作，其中，所述温度代码生成器包括：参考电压生成器，其生成稳定的参考电压；温度检测器，其响应于参考电压生成对应于所检测的当前温度的模拟温度电压；电平转换器，其将模拟温度电压转换为相应的数字代码；以及温度代码转换器，其将数字代码转换为对应的温度代码，以及其中，从所述多个补偿偏移值中选择所述偏移值包括：响应于当前温度从所述多个偏移值中选择第一偏移值，并且响应于存储单元条件从所述多个偏移值中选择第二偏移值，以及其中，所述存储单元条件包括：所述存储单元阵列中所选择的存储单元的编程数据状态、与所述存储单元阵列内的所选择的存储单元相关联的所选择的字线的位置、与所选择的存储单元相关联的页信息以及所述存储单元阵列内的所选择的存储单元的位置。