[发明专利]补偿操作电压的方法、快闪存储器件、以及数据存储设备有效

专利信息
申请号: 201110382310.0 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102479550B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 崔允熙;朴起台;金甫根 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 刘虹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 补偿 操作 电压 方法 闪存 器件 以及 数据 存储 设备
【权利要求书】:

1.一种在包括非易失性存储器件的存储系统中生成操作电压的方法,该非易失性存储器件包括操作电压生成器以及非易失性存储单元的存储单元阵列,该方法包括:

在所述存储单元阵列的修整信息区域中存储修整信息,其中,所述修整信息包括电压修整信息;

当对所述非易失性存储器件加电并且使用所述修整电压信息时,配置存储多个补偿偏移值的至少一个查找表;

使用包括在操作电压生成器中的温度代码生成器检测所述非易失性存储器件的当前温度;

在接收到启动由所述非易失性存储器件进行的访问操作的执行的访问命令之后,通过响应于所述当前温度从存储在所述至少一个查找表中的多个补偿偏移值中选择偏移值来生成经补偿的操作电压;以及

使用所述经补偿的操作电压执行所述访问操作,

其中,所述温度代码生成器包括:

参考电压生成器,其生成稳定的参考电压;

温度检测器,其响应于参考电压生成对应于所检测的当前温度的模拟温度电压;

电平转换器,其将模拟温度电压转换为相应的数字代码;以及

温度代码转换器,其将数字代码转换为对应的温度代码,以及

其中,从所述多个补偿偏移值中选择所述偏移值包括:

响应于当前温度从所述多个偏移值中选择第一偏移值,并且响应于存储单元条件从所述多个偏移值中选择第二偏移值,以及

其中,所述存储单元条件包括:所述存储单元阵列中所选择的存储单元的编程数据状态、与所述存储单元阵列内的所选择的存储单元相关联的所选择的字线的位置、与所选择的存储单元相关联的页信息以及所述存储单元阵列内的所选择的存储单元的位置。

2.如权利要求1所述的方法,其中,生成所述经补偿的操作电压包括:

使用所述操作电压生成器生成额定操作电压;以及

响应于所选择的偏移值来调整所述额定操作电压。

3.如权利要求2所述的方法,其中,

响应于所选择的偏移值来调整所述额定操作电压包括响应于第一偏移值和第二偏移值顺序地调整所述额定操作电压。

4.如权利要求1所述的方法,其中,生成所述补偿的操作电压包括:

使用所选择的偏移值生成补偿偏移值;以及

使用操作电压生成器响应于所述补偿偏移值来生成经补偿的操作电压。

5.如权利要求4所述的方法,其中,生成所述补偿偏移值包括:

响应于所述当前温度从所述多个偏移值中选择第一偏移值;

响应于存储单元条件从所述多个偏移值中选择第二偏移值;以及

组合第一偏移值和第二偏移值以生成所述补偿偏移值。

6.如权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个查找表包括:

第一查找表,其存储分别对应于多个温度范围的多个第一偏移值;和

第二查找表,其存储分别对应于存储单元条件的变化的多个第二偏移值。

7.一种非易失性存储器件,包括:

控制逻辑,其控制所述非易失性存储器件的操作;

非易失存储器单元的存储单元阵列;以及

操作电压生成器,其生成将施加到所述存储单元阵列中的所选择的存储单元的经补偿的操作电压,其中,所述操作电压生成器包括:

温度代码生成器,其检测当前温度并生成对应的温度代码;

第一查找表,其存储分别对应于多个温度范围的多个第一偏移值;和

第二查找表,其存储分别对应于存储单元条件的变化的多个第二偏移值,

其中,所述控制逻辑响应于所述温度代码选择第一偏移值之一以及响应于所述存储单元条件的确定的变化选择第二偏移值之一,以及

所述操作电压生成器响应于第一偏移值和第二偏移值生成经补偿的操作电压,

其中,所述温度代码生成器包括:

参考电压生成器,其生成稳定的参考电压;

温度检测器,其响应于参考电压生成对应于所检测的当前温度的模拟温度电压;

电平转换器,其将模拟温度电压转换为相应的数字代码;以及

温度代码转换器,其将数字代码转换为对应的温度代码,以及

其中,所述存储单元条件包括:所述存储单元阵列中所选择的存储单元的编程数据状态、与所述存储单元阵列内的所选择的存储单元相关联的所选择的字线的位置、与所选择的存储单元相关联的页信息以及所述存储单元阵列内的所选择的存储单元的位置。

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