[发明专利]补偿操作电压的方法、快闪存储器件、以及数据存储设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年11月25日提交的韩国专利申请No.10-2010-0117950的优先权和权益，其主题通过引用结合于此。

技术领域

本发明构思的实施例涉及半导体存储器件、更具体地，涉及快闪存储器件和包含该快闪存储器件的数据存储设备。

背景技术

半导体存储器是数字逻辑系统中重要的微电子元件，数字逻辑系统比如范围从卫星到消费类电子的基于计算机和微处理器的应用。半导体存储器制造方面的进步包括工艺的增强和技术的发展，这种进步实现了微缩(scaling)，其提供更高的集成密度和更快的操作速度。半导体存储器的改进还实现了合并数字逻辑系统的性能。

半导体存储器件可以根据它们的操作性质来分类，比如易失性的或非易失性的。易失性存储器件享有相对较快的操作特性，但是在没有施加电力消失的情况下会丢失存储的数据。易失性存储器件包括随机存取存储器(RAM)，随机存取存储器要么通过建立双稳触发器(bi-stable flip-flop)的逻辑状态来存储数据，如在静态随机存取存储器(SRAM)中，要么通过给电容器充电来存储数据，如在动态随机存取存储器(DRAM)中。

非易失性的存储器在施加的电力消失的情况下不会丢失存储的数据，并且包括：例如，掩模只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)、以及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。根据制造存储器件的技术，非易失性存储器的数据存储可以是一次性的使用或者可重编程的使用。非易失性存储器被用来在各种各样的应用中存储微代码，所述应用包括计算机工业、航空电子工业、电信业、以及消费类电子工业。单芯片易失性以及非易失性存储器存储模式的组合也可用在诸如非易失性SRAM(nvSRAM)的器件中，所述器件在要求快速、可编程的非易失性存储器的系统中使用。另外，已经演变出很多包含附加的逻辑电路的特殊存储器架构，其优化了用于特定应用任务的性能。

在更宽泛的非易失性存储器类别中，MROM、PROM和EPROM不能使用正常可用的系统资源来自由地擦出和写入。因此，它们实际上在许多应用中并不适用。相反，EEPROM能够被电擦除或写入。因此，EEPROM已经在许多不同的应用中被广泛地采用，包括辅助存储器，频繁更新的存储元件，等等。快闪存储器是EEPROM的一种常见形式，并且包括NAND型和NOR型快闪存储器。

发明内容

在一个实施例中，本发明构思提供一种在非易失性存储器件中生成操作电压的方法，该非易失性存储器件包括非易失性存储单元的存储单元阵列，该方法包括：检测至少一个存储单元条件，包括非易失性存储器件的当前温度；生成将应用到存储单元阵列中的所选择的存储单元的操作电压；以及响应于至少一个存储单元条件补偿该操作电压。

在另一个实施例，本发明构思提供一种在包括非易失性存储器件的存储系统中生成操作电压的方法，该非易失性存储器件包括操作电压生成器、以及非易失性存储单元的存储单元阵列，该方法包括：在存储单元阵列的修整信息区域中存储修整信息，其中，修整信息包括电压修整信息；当非易失性存储器件上电并且使用修整电压信息时，配置存储多个补偿偏移值的至少一个查找表；检测非易失性存储器件的当前温度；在接收到启动由非易失性存储器件进行的访问操作的执行的访问命令之后，通过响应于当前温度从存储在至少一个查找表中的多个补偿偏移值中选择偏移值来生成经补偿的操作电压；并且使用经补偿的操作电压执行访问操作。

在另一个实施例，本发明构思提供一种非易失性存储器件，包括：控制逻辑，控制非易失性存储器件的操作；非易失存储器单元的存储单元阵列；以及操作电压生成器，其生成将应用到存储单元阵列中的所选择的存储单元的经补偿的操作电压，其中，操作电压生成器包括：温度代码生成器，其检测当前温度并生成对应的温度代码；第一查找表，存储分别对应于多个温度范围的多个第一偏移值；和第二查找表，存储分别对应于存储单元条件的变化的多个第二偏移值。控制逻辑响应于温度代码选择第一偏移值之一以及响应于存储单元条件的确定的变化选择第二偏移值之一，并且操作电压生成器响应于第一偏移值和第二偏移值生成经补偿的操作电压。