[发明专利]异质结双极晶体管制造方法和包括异质结双极晶体管的集成电路有效
| 申请号： | 201110375510.3 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102479703A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 托尼·范胡克;约翰尼斯·唐克斯;汉斯·莫腾斯;布兰迪恩·杜利兹;埃弗利娜·格里德莱特 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/762;H01L29/737;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种制造异质结双极晶体管(100)的方法，所述异质结双极晶体管包括衬底(10)，所述衬底的上部区域包括以浅沟槽绝缘区(30)为边界的双极晶体管有源区(20)，所述有源区包括埋入的集电极区，该集电极区的深度延伸到超过浅沟槽绝缘区的深度，所述方法包括：在与有源区相邻的衬底中形成沟槽(44)，沟槽延伸通过浅沟槽绝缘区；用杂质(48，82)至少部分地填充沟槽；以及通过扩展杂质延伸到衬底中深度超过浅沟槽绝缘区的深度，来在衬底中形成集电极沉降。还公开了一种包括通过这种方法制造的异质结双极晶体管的IC。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 制造 方法 包括 集成电路 | ||
【主权项】：
一种制造异质结双极晶体管(100)的方法，所述异质结双极晶体管包括衬底(10)，所述衬底的上部区域包括以浅沟槽绝缘区(30)为边界的双极晶体管有源区(20)，所述有源区包括埋入的集电极区，该集电极区的深度延伸到超过浅沟槽绝缘区的深度，所述方法包括：在与所述有源区相邻的衬底中形成沟槽(44)，所述沟槽延伸通过所述浅沟槽绝缘区；用杂质(48，82)至少部分地填充所述沟槽；以及通过扩展所述杂质使其延伸到衬底中的深度超过浅沟槽绝缘区的深度，来在衬底中形成集电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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