[发明专利]基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构及其操作方法有效
| 申请号： | 201110372169.6 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123805A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;李慧 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构及其操作方法。本发明包括写入管、读取管、存储部件、写字线、写位线、读字线、和读位线；所述的写入管的源端连接读取管的栅极，写入管有编程的作用；读取管的栅极介质为存储部件；该栅极介质有绝缘、高阻、低阻三种不同状态，其中高阻、低阻之间转变可逆，读取时在读入管栅极、读字线施加一定电压，可根据读位线的电压变化或电流值大小判断“0”和“1”。本发明工艺简便、成本低廉、效果优越、低功耗、高性能，与32nm High k CMOS逻辑工艺前端兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 阻变栅 介质 动态 存储 单元 阵列 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构，其特征在于，包括写入管(201)、读取管(202)、存储部件(203)、写字线(204)、写位线(205)、读字线(206)和读位线(207)；所述的写入管(201)的源端连接读取管(202)的栅极。
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