[发明专利]基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构及其操作方法

权利要求书

1.一种基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构，其特征在于，包括写入管(201)、读取管(202)、存储部件(203)、写字线(204)、写位线(205)、读字线(206)和读位线(207)；所述的写入管(201)的源端连接读取管(202)的栅极。

2.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构，其特征在于，所述的写入管(201)有编程的作用。

3.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构，其特征在于，所述的读取管(202)的栅极介质(203)为存储部件；所述的栅极介质(203)使用阻变特性材料HfOx。

4.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构，其特征在于，所述的栅极介质(203)有绝缘、高阻、低阻三种不同状态，其中高阻、低阻之间转变可逆。

5.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构，其特征在于，所述的写字线(204)在编程时开启，写位线(205)端加的电压传至写入管(201)源端，改变存储部件(203)两端的电压，改变(203)的电阻值；所述的写字线(204)在编程过程中，调节其电压进行限流。

6.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构，其特征在于，读取时在读入管栅极、读字线施加一定电压，可根据读位线的电压变化或电流值大小判断“0”和“1”。

7.按权利要求6所述的基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构，其特征在于，1和0两状态的读取电流相差20～500倍。

8.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构，其特征在于，在所述编程部件的HfOx在厚度上增加掩膜板(609)。