[发明专利]提高GaN基LED发光效率的图形化衬底制备方法有效
| 申请号： | 201110365062.9 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102394262A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李志聪;李盼盼;李鸿渐;李璟;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 提高GaN基LED发光效率的图形化衬底制备方法，属于半导体图形化衬底制备工艺技术领域。先在蓝宝石平面衬底上涂覆一层氯化物饱和盐溶液，经烘干后，在蓝宝石平面衬底上得到微米量级的氯化物颗粒掩模层；再在掩模层上，等离子刻蚀，得到图案化的蓝宝石衬底，然后将衬底清洗干净。本发明可以简化图形化衬底的制备工艺，降低制造成本，生长的氮化物外延层及LED结构位错密度可以得到极大降低，从而改善GaN外延材料的质量。且衬底表面的图形化处理可以增加光子被图形反射后再次出射的几率，可有效提高光提取效率，从而提高外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 gan led 发光 效率 图形 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
提高GaN基LED发光效率的图形化衬底制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）在蓝宝石平面衬底上涂覆一层氯化物饱和盐溶液，所述氯化物为氯化钠、氯化铯、氯化钾中的任意一种；2）将涂覆有氯化物饱和盐溶液的蓝宝石衬底烘干,烘干温度范围为50℃～ 300℃，在蓝宝石平面衬底上得到微米量级的氯化物颗粒掩模层；3）在掩模层上，在离子刻蚀气体存在的条件下，以等离子刻蚀设备进行刻蚀30秒到30分钟，得到图案化的蓝宝石衬底，然后将衬底清洗干净。
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