[发明专利]提高GaN基LED发光效率的图形化衬底制备方法有效
| 申请号： | 201110365062.9 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102394262A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李志聪;李盼盼;李鸿渐;李璟;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 gan led 发光 效率 图形 衬底 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.提高GaN基LED发光效率的图形化衬底制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1）在蓝宝石平面衬底上涂覆一层氯化物饱和盐溶液，所述氯化物为氯化钠、氯化铯、氯化钾中的任意一种；
2）将涂覆有氯化物饱和盐溶液的蓝宝石衬底烘干,烘干温度范围为50℃～ 300℃，在蓝宝石平面衬底上得到微米量级的氯化物颗粒掩模层；
3）在掩模层上，在离子刻蚀气体存在的条件下，以等离子刻蚀设备进行刻蚀30秒到30分钟，得到图案化的蓝宝石衬底，然后将衬底清洗干净。
2.根据权利1所述提高GaN基LED发光效率的图形化衬底制备方法，其特征在于所述氯化物颗粒掩模层的尺寸为0.1～10μm，厚度为0.05～50μm。
3.根据权利1所述提高GaN基LED发光效率的图形化衬底制备方法，其特征在于所述图案化的蓝宝石衬底的图形底部尺寸为0.1～10μm，图形间距为0.1～5μm，图形高度为0.1～3μm。
4.根据权利1所述提高GaN基LED发光效率的图形化衬底制备方法，其特征在于所述离子刻蚀气体为Cl2、BCl3、Ar或He。
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