[发明专利]金属In填充MgO纳米管及其制造方法和应用有效
| 申请号： | 201110363603.4 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102554254A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 高义华;傅琰;孙敏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F3/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属In填充MgO纳米管温度控制器件，该器件主要由大量的In填充MgO纳米管压制而成。在温度大于150℃时，该器件的电阻由最大值猛然降低到最小值，通过检测电流，从而达到温度控制的目的；该器件的研制包括大量金属In填充MgO纳米管的制备以及对其压片。该器件对NdFeB等磁性材料做成的器件可进行温度控制，提高器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 in 填充 mgo 纳米 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种金属In填充MgO纳米管的制备方法，包括如下步骤：(1)按一定比例分别称取In2O3粉与Mg粉，混合均匀；(2)将以上混合物放入石墨坩埚，再将该石墨坩埚放进垂直射频感应炉中，并抽真空；(3)向所述垂直射频感应炉中充入载气，并设定加热温度为1200～1400℃，进行加热；(4)加热一定时间后，关闭垂直射频感应炉，停止通气，待炉内温度降至室温后取出石墨坩埚，即可获得金属In填充MgO纳米管粉末。
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