[发明专利]金属In填充MgO纳米管及其制造方法和应用有效
| 申请号： | 201110363603.4 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102554254A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 高义华;傅琰;孙敏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F3/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 in 填充 mgo 纳米 及其 制造 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属In填充MgO纳米管的制备方法，包括如下步骤：
(1)按一定比例分别称取In2O3粉与Mg粉，混合均匀；
(2)将以上混合物放入石墨坩埚，再将该石墨坩埚放进垂直射频感应炉中，并抽真空；
(3)向所述垂直射频感应炉中充入载气，并设定加热温度为1200～1400℃，进行加热；
(4)加热一定时间后，关闭垂直射频感应炉，停止通气，待炉内温度降至室温后取出石墨坩埚，即可获得金属In填充MgO纳米管粉末。
2.根据权利要求1所述的方法，所述步骤(1)中In2O3粉与Mg粉的摩尔比为1∶(1～5)。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤(3)中，充入载气时，感应炉上端通气气流速度为400～600cm3，下端通气气流速度为100～300cm3。
4.根据权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述载气是纯度为99.999％的N2。
5.根据权利要求1-4之一所述的方法，其特征在于，所述的步骤(2)中，抽真空至真空度为10-3Pa。
6.权利要求1-4之一的方法所制备的纳米管粉末。
7.一种温度控制器件的制备方法，包括将权利要求6所制备的纳米管粉末压制成片的步骤。
8.权利要求7所述的方法制备的温度控制器件。
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