[发明专利]一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法有效
| 申请号： | 201110363436.3 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103117223A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法，应用于半导体集成电路的制造领域。该方法包括：在多晶硅栅的两侧制作侧墙；对MOS晶体管的源漏进行光刻；注入磷离子形成N-区，所述N-区的一侧边缘延伸至侧墙下方；注入砷离子，其中，注入砷离子时，砷离子注入的方向垂直于晶圆；去除MOS晶体管表面的光刻胶；对MOS晶体管进行源漏退火操作，磷离子从侧墙下方扩散至多晶硅栅的下方，形成N型轻掺杂漏区，砷离子掺杂区形成源区和漏区。本发明公开的方法能够减少MOS晶体管轻掺杂漏区的制造中的工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 掺杂 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法，其特征在于，包括：在形成多晶硅栅之后，在所述多晶硅栅的两侧制作侧墙；在MOS晶体管的表面覆盖光刻胶，实现对MOS晶体管源漏进行光刻，以去除有源区的光刻胶；通过向P阱中注入磷离子形成N‑区，所述N‑区的一侧边缘延伸至所述侧墙的下方；向所述P阱中注入砷离子，其中，注入所述砷离子时，注入的方向垂直于晶圆；去除所述MOS晶体管表面的光刻胶；对所述MOS晶体管进行源漏退火操作，使所述磷离子从所述侧墙的下方扩散至所述多晶硅栅的下方，以形成N型轻掺杂漏区，砷离子与磷离子的掺杂区形成源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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