[发明专利]一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法有效
| 申请号： | 201110363436.3 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103117223A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 掺杂 制造 方法 | ||
1.一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法，其特征在于，包括：
在形成多晶硅栅之后，在所述多晶硅栅的两侧制作侧墙；
在MOS晶体管的表面覆盖光刻胶，实现对MOS晶体管源漏进行光刻，以去除有源区的光刻胶；
通过向P阱中注入磷离子形成N-区，所述N-区的一侧边缘延伸至所述侧墙的下方；
向所述P阱中注入砷离子，其中，注入所述砷离子时，注入的方向垂直于晶圆；
去除所述MOS晶体管表面的光刻胶；
对所述MOS晶体管进行源漏退火操作，使所述磷离子从所述侧墙的下方扩散至所述多晶硅栅的下方，以形成N型轻掺杂漏区，砷离子与磷离子的掺杂区形成源区和漏区。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙的宽度值为0.15～0.25微米之间的任一值。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入磷离子包括：
采用旋转方式将所述磷离子注入所述衬底，并且磷离子的入射方向与晶圆的轴心方向成20°～60°夹角，磷离子斜入至侧墙下方。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用旋转方式将所述磷离子注入所述衬底，具体包括：在磷离子的注入过程中，晶圆绕自身的轴心自转。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对MOS晶体管进行源漏退火的退火温度为850～930摄氏度，退火时间为30～90分钟。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入磷离子时，所述磷离子的注入的能量为40～80千电子伏，剂量为4E13～1.2E14原子/平方厘米。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入砷离子时，砷离子注入的能量为50～100千电子伏，剂量为3E15～6E15原子/平方厘米。
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