[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110362688.4 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102593118A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 臼田宏治;手塚勉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了半导体器件及其制造方法。按照实施例的半导体器件包括：衬底；在衬底上形成并具有应变的第一半导体层；在第一半导体层上相互隔开一定距离形成并且晶格常数不同于第一半导体层的晶格常数的第二和第三半导体层；在第一半导体层的第一部分上形成的栅极绝缘膜，所述第一部分位于第二半导体层和第三半导体层之间；以及在栅极绝缘膜上形成的栅电极。第二半导体层的外表面区和第一半导体层的第二部分的外表面区中的至少一个是第一硅化物区，以及第三半导体层的外表面区和第一半导体层的第三部分的外表面区中的至少一个是第二硅化物区，所述第二部分和第三部分分别直接位于第二半导体层和第三半导体层下面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上形成并具有应变的第一半导体层；在第一半导体层上相互隔开一定距离形成并且晶格常数不同于第一半导体层的晶格常数的第二和第三半导体层；在第一半导体层的第一部分上形成的栅极绝缘膜，所述第一部分位于第二半导体层和第三半导体层之间；以及在栅极绝缘膜上形成的栅电极，其中，第二半导体层的外表面区和第一半导体层的第二部分的外表面区中的至少一个是第一硅化物区，所述第二部分直接位于第二半导体层下面，以及第三半导体层的外表面区和第一半导体层的第三部分的外表面区中的至少一个是第二硅化物区，所述第三部分直接位于第三半导体层下面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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