[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在衬底上形成并具有应变的第一半导体层；

在第一半导体层上相互隔开一定距离形成并且晶格常数不同于第一半导体层的晶格常数的第二和第三半导体层；

在第一半导体层的第一部分上形成的栅极绝缘膜，所述第一部分位于第二半导体层和第三半导体层之间；以及

在栅极绝缘膜上形成的栅电极，

其中，第二半导体层的外表面区和第一半导体层的第二部分的外表面区中的至少一个是第一硅化物区，所述第二部分直接位于第二半导体层下面，以及第三半导体层的外表面区和第一半导体层的第三部分的外表面区中的至少一个是第二硅化物区，所述第三部分直接位于第三半导体层下面。

2.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，第一半导体层以台面形状形成在衬底上。

3.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，第二和第三半导体层具有比第一半导体层的热膨胀系数大3％或更多的热膨胀系数。

4.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，第一半导体层是应变Si层，以及第二和第三半导体层是SiGe层。

5.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，第一半导体层是应变SiGe层，以及第二和第三半导体层是Si层。

6.按照权利要求4所述的半导体器件，其中，所述SiGe层具有其中的Ge浓度为50原子％或更高的组成。

7.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，第一半导体层的尺寸在一侧为1μm或更小。

8.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，绝缘层形成在第一半导体层和衬底之间。

9.一种制造半导体器件的方法，包含：

在衬底上形成第一半导体层；

在第一半导体层上形成第二半导体层，第二半导体层具有与第一半导体层的晶格常数不同的晶格常数；

对第二半导体层和第一半导体层进行图案化，并通过所述图案化，把第二半导体层分割成相互隔开一定距离的第一和第二半导体区；

在第一半导体层的第一部分上形成栅极绝缘膜，所述第一部分位于第一半导体区和第二半导体区之间；

在栅极绝缘膜上形成栅电极；

通过把杂质至少注入第一和第二半导体区中，形成源极区和漏极区；以及

至少硅化第一和第二半导体区的外表面区或者第一半导体层的第二部分的外表面区，所述第二部分直接位于第一和第二半导体区下面。

10.按照权利要求9所述的方法，其中，第一半导体层是应变Si层，以及第二半导体层是SiGe层。

11.按照权利要求9所述的方法，其中，第一半导体层是应变SiGe层，以及第二半导体层是Si层。

12.一种制造半导体器件的方法，包含：

在衬底上形成第一半导体层；

有选择地在第一半导体层的预定栅极形成区上形成保护膜；

在第一半导体层的一部分上形成第二半导体层，该部分位于其中形成保护膜的区域之外，第二半导体层具有与第一半导体层的晶格常数不同的晶格常数；

对保护膜、第二半导体层和第一半导体层进行图案化；

通过把杂质至少引入第二半导体层中，形成源极区和漏极区；

硅化第二半导体层的外表面区和第一半导体层的外表面区中的至少一个；

除去保护膜；

在第一半导体的已被除去保护膜的区域上形成栅极绝缘膜；和

在栅极绝缘膜上形成栅电极。

13.按照权利要求12所述的方法，其中，第一半导体层是应变Si层，以及第二半导体层是SiGe层。

14.按照权利要求12所述的方法，其中，第一半导体层是应变SiGe层，以及第二半导体层是Si层。