[发明专利]一种C/SiO2/SiC吸波复合材料及其制备方法

摘要

本发明属于功能复合材料领域，具体涉及一种C/SiO2/SiC吸波复合材料及其制备方法。该复合材料通过以下原料和方法制备得到：(1)将硅烷试剂与基体炭按照质量比为硅烷试剂∶基体炭＝0.1-0.5∶1的比例在20℃-25℃的条件下进行表面吸附处理，然后在管式反应器中进行60℃～160℃固化处理，得到固化复合体；(2)将上述固化复合体进行机械破碎后得到粉体；(3)将上述粉体在装入管式反应器中，然后将管式反应器放入回转管式炉中，在堕性气体保护下进行高温炭化处理，即可。本发明的复合材料的体积密度为1.2～3.0g/cm3，电阻率为1×10-2～1×103Ω·m，在X波段和Ku波段微波频段内具有优良的吸波性能。

主权项

一种C/SiO2/SiC吸波复合材料，其特征是，该复合材料通过以下原料和方法制备得到：(1)将硅烷试剂与基体炭按照质量比为硅烷试剂∶基体炭＝0.1‑0.5∶1的比例在20℃‑25℃的条件下进行表面吸附处理，然后在管式反应器中进行60℃～160℃固化处理，得到固化复合体；其中，所述硅烷试剂为正硅酸乙酯或γ‑氨丙基三乙氧基硅烷，所述基体炭为活性炭、沥青炭或树脂炭；(2)将上述固化复合体进行机械破碎经过筛分后为200～300目后得到粉体；(3)将上述粉体在装入管式反应器中，然后将管式反应器放入回转管式炉中，在堕性气体保护下进行炭化处理；所述炭化处理采用程序升温，升温过程为：以1℃/min～5℃/min的速率升到800‑1000℃保温1‑3h，然后以15℃/min～20℃/min的升温速率升到1200～1400℃保温2‑4h；步骤(1)和(3)中，所述管式反应器内壁设置2～4条1mm～100mm宽的螺旋片，螺旋片与反应器的中轴线保持20°～60°倾斜角；且管式反应器内壁规则布置有2mm～5mm高度的锥形刀口。