[发明专利]一种C/SiO2/SiC吸波复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110362411.1 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102504761A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李劲;刘洪波;邵南子 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00;B01J19/24;B01F5/06 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410082 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sio sub sic 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种C/SiO2/SiC吸波复合材料，其特征是，该复合材料通过以下原料和方法制备得到：
(1)将硅烷试剂与基体炭按照质量比为硅烷试剂∶基体炭＝0.1-0.5∶1的比例在20℃-25℃的条件下进行表面吸附处理，然后在管式反应器中进行60℃～160℃固化处理，得到固化复合体；其中，所述硅烷试剂为正硅酸乙酯或γ-氨丙基三乙氧基硅烷，所述基体炭为活性炭、沥青炭或树脂炭；
(2)将上述固化复合体进行机械破碎经过筛分后为200～300目后得到粉体；
(3)将上述粉体在装入管式反应器中，然后将管式反应器放入回转管式炉中，在堕性气体保护下进行炭化处理；所述炭化处理采用程序升温，升温过程为：以1℃/min～5℃/min的速率升到800-1000℃保温1-3h，然后以15℃/min～20℃/min的升温速率升到1200～1400℃保温2-4h；
步骤(1)和(3)中，所述管式反应器内壁设置2～4条1mm～100mm宽的螺旋片，螺旋片与反应器的中轴线保持20°～60°倾斜角；且管式反应器内壁规则布置有2mm～5mm高度的锥形刀口。
2.根据权利要求1所述C/SiO2/SiC吸波复合材料，其特征是，所述复合材料的体积密度为1.2～3.0g/cm3，电阻率为1×10-2～1×103Ω·m。
3.一种C/SiO2/SiC吸波复合材料的制备方法，其特征是，包括如下具体步骤：
(1)将硅烷试剂与基体炭按照质量比为硅烷试剂∶基体炭＝0.1-0.5∶1的比例在20℃-25℃的条件下进行表面吸附处理，然后在管式反应器中进行60℃～160℃固化处理，得到固化复合体；
(2)将上述固化复合体进行机械破碎得到粉体；
(3)将上述粉体在装入管式反应器中，然后将管式反应器放入回转管式炉中，在堕性气体保护下进行炭化处理；所述炭化处理采用程序升温，升温过程为：以1℃/min～5℃/min的速率升到800-1000℃保温1-3h，然后以15℃/min～20℃/min的升温速率升到1200～1400℃保温2-4h；
步骤(1)和(3)中，所述管式反应器内壁设置2～4条1mm～100mm宽的螺旋片，螺旋片与反应器的中轴线保持20°～60°倾斜角；且管式反应器内壁规则布置有2mm～5mm高度的锥形刀口。
4.根据权利要求3所述C/SiO2/SiC吸波复合材料的制备方法，其特征是，所述硅烷试剂为正硅酸乙酯或γ-氨丙基三乙氧基硅烷。
5.根据权利要求3所述C/SiO2/SiC吸波复合材料的制备方法，其特征是，所述基体炭为活性炭、沥青炭或树脂炭。
6.根据权利要求3所述C/SiO2/SiC吸波复合材料的制备方法，其特征是，所述粉体是经过筛分后为200～300目的粉体。
7.根据权利要求3所述C/SiO2/SiC吸波复合材料的制备方法，其特征是，所述管式反应器内部放有1mm～10mm直径的钢珠。
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