[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201110350751.2 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102456794A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 黄硕珉;金载润;李进馥 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一导电类型半导体层的一个表面上，第二电极设置在第二导电类型半导体层的一个表面上，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括焊盘部和形成为从焊盘部延伸的指状部，指状部的端部具有环形形状。因为使电流集中在指状部的局部区域的现象最小化，所以可以加强对静电放电(ESD)的耐受性并且可以提高光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一导电类型半导体层的一个表面上，第二电极设置在第二导电类型半导体层的一个表面上，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括焊盘部和形成为从焊盘部延伸的指状部，指状部的端部具有环形形状。
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