[发明专利]半导体发光器件

说明书

本中请要求在韩国知识产权局于2010年11月1日提交的第10-2010-0107740号韩国专利申请和于2011年10月25日提交的第10-2011-0109268号韩国专利申请的优先权，这些韩国专利申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件。

背景技术

发光二极管-一种半导体发光器件，是一种能够在向其施加电流时根据p型半导体结部分和n型半导体结部分处的电子和空穴的复合而产生各种颜色的光的半导体器件。由于与基于灯丝的发光器件相比，半导体发光器件具有各种优点，例如，长寿命、低功耗、优异的初始驱动特性、高抗振性等，所以对半导体发光器件的需求持续增长。具体地讲，近来，能够发射短波长区域的蓝色谱线的光的III-氮化物半导体突显出来。

通过在基底上生长发光结构来形成使用III-氮化物半导体的发光器件，其中，发光结构包括n型和p型氮化物半导体层及形成在它们之间的活性层，在这种情况下，在发光结构的表面上形成用来从外部施加电信号的欧姆电极、结合电极等。结合电极可以包括焊盘部和指状部，指状部可以用来向器件施加整体均匀的电流。然而，虽然采用了指状部，但是电流会集中在指状部的一部分中，所以在现有技术中，需要使指状部的一部分的电流集中最小化的改进的电极结构。

发明内容

本发明的一方面提供了这样一种半导体发光器件，该半导体发光器件通过使电流集中在局部区域的现象最小化能够加强对静电放电(ESD)的耐受性并提高光提取效率。

根据本发明的一方面，提供了一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一导电类型半导体层的一个表面上，第二电极设置在第二导电类型半导体层的一个表面上，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括焊盘部和形成为从焊盘部延伸的指状部，指状部的端部具有环形形状。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一导电类型半导体层的一个表面上，第二电极设置在第二导电类型半导体层的一个表面上，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括焊盘部和形成为从焊盘部延伸的指状部，指状部具有环形形状。

第一电极可以设置在第一导电类型半导体层的通过至少去除活性层和第二导电类型半导体层而被暴露的表面上。

第一电极可以沿着第一导电类型半导体层的表面的边缘设置。

指状部的宽度可以比焊盘部的宽度窄。

第一电极和第二电极均可以包括焊盘部和指状部。

第一电极的指状部可以从第一电极的焊盘部朝着第二电极的焊盘部形成，第二电极的指状部可以从第二电极的焊盘部朝着第一电极的焊盘部形成。

第一电极的指状部的端部和第二电极的指状部的端部均可以具有环形形状。

第一电极的指状部和第二电极的指状部均可以具有环形形状。

半导体发光器件还可以包括设置在第二电极和第二导电类型半导体层之间的欧姆接触部。

欧姆接触部可以由光透射材料制成。

第一电极和第二电极可以由光反射材料制成。

当从上方看时，环形的指状部的端部的外部轮廓线可以具有圆形形状。

当从上方看时，环形的指状部的端部的内部中空区域的轮廓线可以具有圆形形状。

环形的指状部的端部的一部分可以断开而呈开口状。

环形的指状部的一部分可以断开而呈开口状。

环形指状部的两个端部与焊盘部连接而形成闭环。

相应地包括在第一电极和第二电极中的指状部的端部可以在与指状部延伸的方向垂直的方向上叠置。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，本发明的以上和其它方面、特征和其它优点将变得更加易于理解，在附图中：

图1是根据本发明实施例的半导体发光器件的示意性剖视图；

图2是图1的半导体发光器件的示意性俯视图；

图3是根据本发明另一实施例的半导体发光器件的示意性平面图；

图4是根据本发明另一实施例的半导体发光器件的示意性平面图；

图5和图6分别是图3和图4的半导体发光器件的修改的示意性平面图；