[发明专利]功率二极管的器件结构有效
| 申请号： | 201110346433.9 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103094356A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/872;H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率二极管的器件结构，器件的阳极上方有金属引线，金属引线分别通过掺杂区接触孔、外延区接触孔与元胞区域内的P型重掺杂区和N型外延区交替并行接触；所述金属引线、掺杂区接触孔、P型重掺杂区与N型外延区以及N型衬底形成PIN功率二极管；所述金属引线、外延区接触孔与N型外延区以及N型衬底形成金属半导体接触的肖特基二极管。所述P型重掺杂区与N型外延区之间有场氧化膜，场氧化膜的表面与P型重掺杂区的水平方向之间的夹角不大于30度。本发明能够实现功率二极管器件的高耐压能力，快速开启，以及反向关断时的快速恢复，降低开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 二极管 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种功率二极管的器件结构，包括元胞、终端区，终端区设置于元胞的外围；器件的阴极由器件背面引出，器件阴极的上方为终端区和元胞的N型衬底，N型衬底的上方为N型外延区；器件的阳极位于N型外延区的表面，N型外延区内分布有多块P型重掺杂区，P型重掺杂区与N型外延区间隔交替排列；其特征在于：所述器件的阳极上方有金属引线，金属引线分别通过掺杂区接触孔、外延区接触孔与元胞区域内的P型重掺杂区和N型外延区交替并行接触；所述金属引线、掺杂区接触孔、P型重掺杂区与N型外延区以及N型衬底形成PIN功率二极管；所述金属引线、外延区接触孔与N型外延区以及N型衬底形成金属半导体接触的肖特基二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110346433.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
