[发明专利]存储器单元在审
| 申请号： | 201110342124.4 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102394241A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵;吴小利;张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的存储器单元包括：源极，漏极，以及布置在所述源极和所述漏极之间的栅极区域，其中所述栅极区域包括并排布置的电荷存储器以及选择栅极，并且所述栅极区域还包括布置上所述电荷存储器上的控制栅极。所述源极连接至存储器的位线，所述漏极连接至存储器的选择线路，所述选择栅极连接至字线。根据本发明的存储器单元仅仅包括一个源极和一个漏极，而不是两个源极和一个漏极，从而有效地降低了存储器单元的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，其特征在于包括：源极，漏极，以及布置在所述源极和所述漏极之间的栅极区域，其中所述栅极区域包括并排布置的电荷存储器以及选择栅极，并且所述栅极区域还包括布置上所述电荷存储器上的控制栅极。
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