[发明专利]存储器单元

权利要求书

1.一种存储器单元，其特征在于包括：源极，漏极，以及布置在所述源极和所述漏极之间的栅极区域，其中所述栅极区域包括并排布置的电荷存储器以及选择栅极，并且所述栅极区域还包括布置上所述电荷存储器上的控制栅极。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述源极连接至存储器的位线，所述漏极连接至存储器的选择线路，所述选择栅极连接至字线。

3.根据权利要求1或2所述的存储器单元，其特征在于，所述源极和所述漏极布置在p衬底的n阱中。

4.根据权利要求1或2所述的存储器单元，其特征在于，所述电荷存储器的材料为氮化硅或者纳米多晶硅(NCS)。

5.根据权利要求3所述的存储器单元，其特征在于，在编程操作中，所述n阱的电压为6V，所述源极上接0V电压，所述控制栅极上接5.5V电压，所述选择栅极上接1V电压，所述漏极上接6V电压，利用漏极热空穴碰撞离化产生的热电子注入到氮化硅或者纳米多晶硅(NCS)，实现器件的编程操作。

6.根据权利要求3所述的存储器单元，其特征在于，在擦除操作中，所述n阱的电压为6V，所述源极上接6V电压，所述控制栅极上接-6V电压，所述选择栅极上接0V电压，所述漏极上接6V电压，利用F-N隧穿实现器件的擦除操作。

7.根据权利要求3所述的存储器单元，其特征在于，在读取操作中，所述n阱的电压为2V，所述源极上接0V电压，所述控制栅极上接1.5V电压，所述选择栅极上接-1.5V电压，所述漏极上接2V电压。

8.根据权利要求1或2所述的存储器单元，其特征在于，所述存储器单元是P型分栅闪存单元。