[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种在不影响其它特性的情况下进行基极区域的低电阻化的半导体装置。该半导体装置具备：第一导电型的半导体衬底；该半导体衬底表面的第二导电型的基极区域；该基极区域表面的第一导电型的源极区域；该半导体衬底背面的第二导电型的集电极区域；在贯通该源极区域及该基极区域的沟槽内隔着栅极绝缘膜形成的沟槽栅；在以贯通该源极区域的方式形成的接触沟内形成的导电层；与该导电层及该源极区域相接的源电极；以及杂质浓度比该基极区域更高的第二导电型的闩锁抑制区域，该闩锁抑制区域与该导电层相接而形成在该基极区域。又，该栅极绝缘膜与该闩锁抑制区域的距离为该沟槽栅在该基极层形成的最大耗尽层宽度以上。

主权项

一种半导体装置，其特征在于具备：第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成的第二导电型的基极区域；在所述基极区域的表面形成的第一导电型的源极区域；杂质浓度比所述基极区域高的第二导电型的高浓度杂质区域，该第二导电型的高浓度杂质区域与所述源极区域相接而形成在所述基极区域的表面；在所述半导体衬底的背面形成的第二导电型的集电极区域；在沟槽内隔着栅极绝缘膜而形成的沟槽栅，所述沟槽以贯通所述源极区域的方式形成在所述基极区域；与所述沟槽栅平行地形成在比所述高浓度杂质区域更靠所述沟槽栅一侧的伪沟槽；以及与所述高浓度杂质区域及所述源极区域相接的源电极，所述伪沟槽形成为具有缝隙。