[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110333132.2 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102412290A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 奥野高广;楠茂 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：
第一导电型的半导体衬底；
在所述半导体衬底的表面形成的第二导电型的基极区域；
在所述基极区域的表面形成的第一导电型的源极区域；
杂质浓度比所述基极区域高的第二导电型的高浓度杂质区域，该第二导电型的高浓度杂质区域与所述源极区域相接而形成在所述基极区域的表面；
在所述半导体衬底的背面形成的第二导电型的集电极区域；
在沟槽内隔着栅极绝缘膜而形成的沟槽栅，所述沟槽以贯通所述源极区域的方式形成在所述基极区域；
与所述沟槽栅平行地形成在比所述高浓度杂质区域更靠所述沟槽栅一侧的伪沟槽；以及
与所述高浓度杂质区域及所述源极区域相接的源电极，
所述伪沟槽形成为具有缝隙。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述源极区域达到所述伪沟槽的缝隙。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述伪沟槽的深度达到所述基极区域和所述半导体衬底的界面。
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